Nový vlajkový čipset Samsungu I-Exynos 2100 si připsat cenný „zářez“ – v testu zkoumajícím rychlost vybíjení baterie porazil špičkový čip Qualcommu Snapdragon 888. Provedl jej respektovaný technologický YouTube kanál PBKreviews.
Test proběhl na dvou smartphonech Galaxy I-S21 Ultra, kdy jeden běžel na Exynosu 2100 a druhý na Snapdragonu 888. Během testu, který trval půl hodiny, měly obě čipové varianty na maximum „vyšponovanou“ úroveň jasu a vypnutou funkci adaptivního jasu i další baterii šetřící funkce.
Výsledek? V „nádrži“ Exynosu 2100 po 30 minutách zbývalo 89 % „šťávy“, zatímco u Snapdragonu 888 to bylo o dva procentní body méně. Kromě toho čip Samsungu méně „topil“ – na konci testu byla jeho teplota 40,3 °C, zatímco čip Qualcommu byl zahřátý na teplotu 42,7 °C.
Slova Samsungu, že Exynos 2100 bude výrazně energeticky úspornější než jeho předchůdce Exynos 990, tedy podle všeho nebyla planá. To ostatně dokazuje i benchmark SPECint2006, který měří výkon a energetickou efektivitu procesorových jader čipů. Hlavní jádro Exynosu 2100 bylo ve srovnání s hlavním jádrem Exynosu 990 o 22 % výkonnější a o 34 % energeticky efektivnější. Exynos 2100 je také výkonnější a energeticky efektivnější než čipy Snapdragon 865+ a Kirin 9000, zaostává jen za Snapdragonem 888, i když rozdíl mezi oběma čipy není nikterak velký.
Ungaba nentshisekelo ku
